俄罗斯科学院发布消息称，其西伯利亚分院克拉斯诺亚尔斯克科学中心（联邦研究中心）基连斯基物理研究所的科学家首次发现，由金属（铁磁体）、氧化物和硅衬底（半导体）组成的混合结构具有高磁阻值，该结构的电阻可随光学效应发生改变，并可通过磁场来控制电压。该效应的本质是混合结构中的电子在移动时，对磁场更为敏感。利用这一特性，可制造具有特定磁导率的材料，研制出由磁场控制的电子设备，并扩展现有磁传感器性能。

　　此外，据研究专家介绍，这种基于半导体形成的混合结构与现代电子产品的工艺基础——CMOS技术（互补金属氧化物半导体）完全兼容。目前，俄科学家正在继续研究混合结构以及其它成分和组态的导电性。(转自科技部)